规格书 |
BC85(6, 7, 8)xWT1 Series |
文档 |
Copper Wire 19/May/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Copper Wire Change 19/May/2010 |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 650mV @ 5mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 420 @ 2mA, 5V |
功率 - 最大 | 150mW |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SC-70, SOT-323 |
供应商器件封装 | SC-70-3 (SOT323) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SC-70 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 45 V |
集电极最大直流电流 | 0.1 A |
最小直流电流增益 | 420@2mA@5V |
最大工作频率 | 100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA V |
最大集电极基极电压 | 50 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 150 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 0.1 |
最低工作温度 | -55 |
Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
包装宽度 | 1.24 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 150 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 50 |
最大集电极发射极电压 | 45 |
供应商封装形式 | SC-70 |
标准包装名称 | SOT-323 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 2.1 |
包装高度 | 0.85 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 650mV @ 5mA, 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
供应商设备封装 | SC-70-3 (SOT323) |
功率 - 最大 | 150mW |
封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 420 @ 2mA, 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BC857CWT1GOSCT |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.65 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 270 at 10 uA at 5 V |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 45 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | - 50 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | - 0.1 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.1 A |
集电极 - 基极电压 | 50 V |
集电极 - 发射极电压 | 45 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 100 MHz |
功率耗散 | 0.15 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SC-70 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 420 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 100 MHz |
直流电流增益 | 420 |
集电极电流(DC ) | 0.1 A |
宽度 | 1.24 mm |
长度 | 2.1 mm |
系列 | BC857CW |
身高 | 0.85 mm |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
品牌 | ON Semiconductor |
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